Microsemi Corporation - APT5010JVRU2

KEY Part #: K6398307

APT5010JVRU2 Цены (доллары США) [2536шт сток]

  • 1 pcs$17.07724
  • 10 pcs$15.79760
  • 25 pcs$14.51667
  • 100 pcs$13.49204
  • 250 pcs$12.38193

номер части:
APT5010JVRU2
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT5010JVRU2 electronic components. APT5010JVRU2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT5010JVRU2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT5010JVRU2 Атрибуты продукта

номер части : APT5010JVRU2
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 44A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 312nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7410pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 450W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.