Rohm Semiconductor - RDD020N60TL

KEY Part #: K6420218

RDD020N60TL Цены (доллары США) [171284шт сток]

  • 1 pcs$0.23872
  • 2,500 pcs$0.23754

номер части:
RDD020N60TL
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RDD020N60TL electronic components. RDD020N60TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RDD020N60TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RDD020N60TL Атрибуты продукта

номер части : RDD020N60TL
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 20W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : CPT3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в