ON Semiconductor - NVD5890NLT4G

KEY Part #: K6400930

[3226шт сток]


    номер части:
    NVD5890NLT4G
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 40V 123A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor NVD5890NLT4G electronic components. NVD5890NLT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVD5890NLT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NVD5890NLT4G Атрибуты продукта

    номер части : NVD5890NLT4G
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
    Серии : -
    Состояние детали : Active
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 24A (Ta), 123A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4760pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 4W (Ta), 107W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : DPAK
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в