номер части :
GSID200A120S3B1
производитель :
Global Power Technologies Group
Описание :
SILICON IGBT MODULES
Состояние детали :
Active
конфигурация :
2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
400A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
20nF @ 25V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
D-3 Module
Комплект поставки устройства :
D3