Infineon Technologies - IAUT200N08S5N023ATMA1

KEY Part #: K6417804

IAUT200N08S5N023ATMA1 Цены (доллары США) [42573шт сток]

  • 1 pcs$0.91844

номер части:
IAUT200N08S5N023ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
80V 200A 2.3MOHM TOLL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IAUT200N08S5N023ATMA1 electronic components. IAUT200N08S5N023ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUT200N08S5N023ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IAUT200N08S5N023ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IAUT200N08S5N023ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : 80V 200A 2.3MOHM TOLL
Серии : OptiMOS™-5
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 200A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7670pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 200W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-HSOF-8-1
Пакет / Дело : 8-PowerSFN

Вы также можете быть заинтересованы в