Diodes Incorporated - DMG7401SFGQ-13

KEY Part #: K6394919

DMG7401SFGQ-13 Цены (доллары США) [317107шт сток]

  • 1 pcs$0.11664
  • 3,000 pcs$0.09462

номер части:
DMG7401SFGQ-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG7401SFGQ-13 electronic components. DMG7401SFGQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG7401SFGQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG7401SFGQ-13 Атрибуты продукта

номер части : DMG7401SFGQ-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2987pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 940mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN