номер части :
IPB036N12N3GATMA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Состояние детали :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
120V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
211nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
13800pF @ 60V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
300W (Tc)
Рабочая Температура :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
PG-TO263-7
Пакет / Дело :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB