STMicroelectronics - STW48N60DM2

KEY Part #: K6398877

STW48N60DM2 Цены (доллары США) [9782шт сток]

  • 1 pcs$3.93986
  • 10 pcs$3.54499
  • 100 pcs$2.91470
  • 500 pcs$2.44203
  • 1,000 pcs$2.12693

номер части:
STW48N60DM2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 40A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STW48N60DM2 electronic components. STW48N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW48N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW48N60DM2 Атрибуты продукта

номер части : STW48N60DM2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 40A
Серии : MDmesh™ DM2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 79 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3250pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • IPA032N06N3GXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31.