Infineon Technologies - IPD65R1K5CEAUMA1

KEY Part #: K6421126

IPD65R1K5CEAUMA1 Цены (доллары США) [356216шт сток]

  • 1 pcs$0.10383
  • 2,500 pcs$0.09525

номер части:
IPD65R1K5CEAUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R1K5CEAUMA1 electronic components. IPD65R1K5CEAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R1K5CEAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R1K5CEAUMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD65R1K5CEAUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 225pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 53W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в