IXYS - IXFQ20N50P3

KEY Part #: K6392747

IXFQ20N50P3 Цены (доллары США) [24546шт сток]

  • 1 pcs$1.84653
  • 10 pcs$1.64822
  • 100 pcs$1.35154
  • 500 pcs$1.03829
  • 1,000 pcs$0.87567

номер части:
IXFQ20N50P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFQ20N50P3 electronic components. IXFQ20N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ20N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ20N50P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFQ20N50P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 380W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в