ON Semiconductor - FCP260N60E

KEY Part #: K6417521

FCP260N60E Цены (доллары США) [33639шт сток]

  • 1 pcs$1.22515
  • 800 pcs$0.89682

номер части:
FCP260N60E
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N CH 600V 15A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FCP260N60E electronic components. FCP260N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP260N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP260N60E Атрибуты продукта

номер части : FCP260N60E
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N CH 600V 15A TO-220
Серии : SuperFET® II
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2500pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 156W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в