Diodes Incorporated - DMN3067LW-7

KEY Part #: K6417833

DMN3067LW-7 Цены (доллары США) [914724шт сток]

  • 1 pcs$0.04044
  • 3,000 pcs$0.03673

номер части:
DMN3067LW-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3067LW-7 electronic components. DMN3067LW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3067LW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3067LW-7 Атрибуты продукта

номер части : DMN3067LW-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 447pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-323
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323

Вы также можете быть заинтересованы в