Infineon Technologies - IPB100N06S2L05ATMA1

KEY Part #: K6407291

[1023шт сток]


    номер части:
    IPB100N06S2L05ATMA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - ТРИАКС ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1 electronic components. IPB100N06S2L05ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB100N06S2L05ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB100N06S2L05ATMA1 Атрибуты продукта

    номер части : IPB100N06S2L05ATMA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 230nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5660pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • 2SK3342(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

    • 2SK2883(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.

    • 2SK2845(TE16L1,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 900V 1A DP.