Rohm Semiconductor - R6002END3TL1

KEY Part #: K6393154

R6002END3TL1 Цены (доллары США) [242031шт сток]

  • 1 pcs$0.15282

номер части:
R6002END3TL1
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
NCH 600V 2A POWER MOSFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor R6002END3TL1 electronic components. R6002END3TL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6002END3TL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6002END3TL1 Атрибуты продукта

номер части : R6002END3TL1
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : NCH 600V 2A POWER MOSFET
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 65pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 26W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в