Infineon Technologies - IPP65R110CFDXKSA1

KEY Part #: K6416308

IPP65R110CFDXKSA1 Цены (доллары США) [13321шт сток]

  • 1 pcs$2.75437
  • 10 pcs$2.46087
  • 100 pcs$2.01788
  • 500 pcs$1.63398
  • 1,000 pcs$1.37806

номер части:
IPP65R110CFDXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1 electronic components. IPP65R110CFDXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R110CFDXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R110CFDXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP65R110CFDXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 31.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.3mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3240pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 277.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в