Vishay Siliconix - SIHG47N60EF-GE3

KEY Part #: K6411261

SIHG47N60EF-GE3 Цены (доллары США) [8238шт сток]

  • 1 pcs$4.82566
  • 10 pcs$4.34134
  • 100 pcs$3.56936
  • 500 pcs$2.99055

номер части:
SIHG47N60EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG47N60EF-GE3 electronic components. SIHG47N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG47N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG47N60EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG47N60EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 47A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4854pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 379W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN2120ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

  • ZVN2120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

  • ZVN2106ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • ZVN2106ASTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • ZVN1409ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

  • ZVN1409ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.