Vishay Siliconix - IRF9Z14LPBF

KEY Part #: K6393010

IRF9Z14LPBF Цены (доллары США) [96967шт сток]

  • 1 pcs$0.40324
  • 1,000 pcs$0.37945

номер части:
IRF9Z14LPBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRF9Z14LPBF electronic components. IRF9Z14LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z14LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z14LPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF9Z14LPBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 270pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в