Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP25B-E3/54

KEY Part #: K6440300

RGP25B-E3/54 Цены (доллары США) [322487шт сток]

  • 1 pcs$0.12103
  • 2,800 pcs$0.12043

номер части:
RGP25B-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 2.5A 150ns 100 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP25B-E3/54 electronic components. RGP25B-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP25B-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP25B-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : RGP25B-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO201AD
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 2.5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-201AD, Axial
Комплект поставки устройства : DO-201AD
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.