IXYS - IXTP110N12T2

KEY Part #: K6398064

IXTP110N12T2 Цены (доллары США) [22265шт сток]

  • 1 pcs$2.03603
  • 10 pcs$1.81789
  • 100 pcs$1.49067
  • 500 pcs$1.20708
  • 1,000 pcs$0.96581

номер части:
IXTP110N12T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP110N12T2 electronic components. IXTP110N12T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP110N12T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP110N12T2 Атрибуты продукта

номер части : IXTP110N12T2
производитель : IXYS
Описание : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Серии : TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 120V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 110A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6570pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 517W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK100A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.