Diodes Incorporated - DMTH4005SPSQ-13

KEY Part #: K6396312

DMTH4005SPSQ-13 Цены (доллары США) [149298шт сток]

  • 1 pcs$0.24774
  • 2,500 pcs$0.21927

номер части:
DMTH4005SPSQ-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH POWERDI5060-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH4005SPSQ-13 electronic components. DMTH4005SPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH4005SPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH4005SPSQ-13 Атрибуты продукта

номер части : DMTH4005SPSQ-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH POWERDI5060-8
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20.9A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 49.1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3062pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI5060-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в