Infineon Technologies - IRFH5010TRPBF

KEY Part #: K6419305

IRFH5010TRPBF Цены (доллары США) [103625шт сток]

  • 1 pcs$0.37733
  • 4,000 pcs$0.30376

номер части:
IRFH5010TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFH5010TRPBF electronic components. IRFH5010TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5010TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH5010TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFH5010TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4340pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-PQFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в