Vishay Siliconix - SI7818DN-T1-E3

KEY Part #: K6416906

SI7818DN-T1-E3 Цены (доллары США) [118801шт сток]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

номер части:
SI7818DN-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7818DN-T1-E3 electronic components. SI7818DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7818DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7818DN-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI7818DN-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.