Vishay Siliconix - SIS407ADN-T1-GE3

KEY Part #: K6420750

SIS407ADN-T1-GE3 Цены (доллары США) [244678шт сток]

  • 1 pcs$0.15117
  • 3,000 pcs$0.14225

номер части:
SIS407ADN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIS407ADN-T1-GE3 electronic components. SIS407ADN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS407ADN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS407ADN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIS407ADN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 168nC @ 8V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5875pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в