ON Semiconductor - FDS6612A

KEY Part #: K6409599

FDS6612A Цены (доллары США) [282883шт сток]

  • 1 pcs$0.13075
  • 2,500 pcs$0.12755

номер части:
FDS6612A
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDS6612A electronic components. FDS6612A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6612A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6612A Атрибуты продукта

номер части : FDS6612A
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.6nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 560pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.