номер части :
BSM75GB170DN2HOSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Состояние детали :
Obsolete
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
110A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
-
Входная емкость (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module