Nexperia USA Inc. - NX3008PBK,215

KEY Part #: K6416942

NX3008PBK,215 Цены (доллары США) [1469076шт сток]

  • 1 pcs$0.02518
  • 3,000 pcs$0.02301

номер части:
NX3008PBK,215
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V TO-236AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. NX3008PBK,215 electronic components. NX3008PBK,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NX3008PBK,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NX3008PBK,215 Атрибуты продукта

номер части : NX3008PBK,215
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET P-CH 30V TO-236AB
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 230mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 0.72nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 46pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-236AB
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.