IXYS - IXFX120N30T

KEY Part #: K6394691

IXFX120N30T Цены (доллары США) [9959шт сток]

  • 1 pcs$5.80402
  • 10 pcs$5.22274
  • 100 pcs$4.29418
  • 500 pcs$3.59781

номер части:
IXFX120N30T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX120N30T electronic components. IXFX120N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX120N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX120N30T Атрибуты продукта

номер части : IXFX120N30T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
Серии : GigaMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 265nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 20000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 960W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3