IXYS - IXTQ82N25P

KEY Part #: K6395214

IXTQ82N25P Цены (доллары США) [18029шт сток]

  • 1 pcs$2.52676
  • 30 pcs$2.51419

номер части:
IXTQ82N25P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTQ82N25P electronic components. IXTQ82N25P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ82N25P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ82N25P Атрибуты продукта

номер части : IXTQ82N25P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
Серии : PolarHT™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 82A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 142nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3