Vishay Siliconix - SQM120N10-3M8_GE3

KEY Part #: K6417886

SQM120N10-3M8_GE3 Цены (доллары США) [44745шт сток]

  • 1 pcs$0.87385
  • 800 pcs$0.78645

номер части:
SQM120N10-3M8_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 electronic components. SQM120N10-3M8_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120N10-3M8_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120N10-3M8_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQM120N10-3M8_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7230pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 375W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D²Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.