Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J771G,LF

KEY Part #: K6405036

SSM6J771G,LF Цены (доллары США) [379397шт сток]

  • 1 pcs$0.11412
  • 3,000 pcs$0.11355

номер части:
SSM6J771G,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G,LF electronic components. SSM6J771G,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J771G,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J771G,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM6J771G,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Серии : U-MOSVI
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 8.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 3A, 8.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA, 3V
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.8nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 870pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.2W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : -
Пакет / Дело : 6-UFBGA, WLCSP

Вы также можете быть заинтересованы в