ON Semiconductor - FQB33N10LTM

KEY Part #: K6392675

FQB33N10LTM Цены (доллары США) [114369шт сток]

  • 1 pcs$0.32340
  • 800 pcs$0.30346

номер части:
FQB33N10LTM
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQB33N10LTM electronic components. FQB33N10LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB33N10LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB33N10LTM Атрибуты продукта

номер части : FQB33N10LTM
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 33A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1630pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в