Nexperia USA Inc. - PMV20ENR

KEY Part #: K6417816

PMV20ENR Цены (доллары США) [697816шт сток]

  • 1 pcs$0.05300
  • 3,000 pcs$0.04666

номер части:
PMV20ENR
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMV20ENR electronic components. PMV20ENR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV20ENR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV20ENR Атрибуты продукта

номер части : PMV20ENR
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 30V SOT23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 435pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-236AB
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в