GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : GA10JT12-247

производитель : GeneSiC Semiconductor

Описание : TRANS SJT 1.2KV 10A

Серии : -

Состояние детали : Obsolete

Тип FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : 170W (Tc)

Рабочая Температура : 175°C (TJ)

Тип монтажа : Through Hole

Комплект поставки устройства : TO-247AB

Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

Горячие части