Infineon Technologies - IPB048N06LGATMA1

KEY Part #: K6409334

[318шт сток]


    номер части:
    IPB048N06LGATMA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-263.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPB048N06LGATMA1 electronic components. IPB048N06LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB048N06LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB048N06LGATMA1 Атрибуты продукта

    номер части : IPB048N06LGATMA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 270µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 225nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7600pF @ 30V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
    Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • 2N7000G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BS170P

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FQN1N50CBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.

    • BS170RLRPG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • BS170RLRP

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • BS107ARL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.