Infineon Technologies - IRLML6302TRPBF

KEY Part #: K6419829

IRLML6302TRPBF Цены (доллары США) [666343шт сток]

  • 1 pcs$0.05551
  • 3,000 pcs$0.04479

номер части:
IRLML6302TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLML6302TRPBF electronic components. IRLML6302TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML6302TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML6302TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLML6302TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 780mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.6nC @ 4.45V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 97pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 540mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Micro3™/SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в