Vishay Siliconix - SI8499DB-T2-E1

KEY Part #: K6421095

SI8499DB-T2-E1 Цены (доллары США) [347726шт сток]

  • 1 pcs$0.10637
  • 3,000 pcs$0.10048

номер части:
SI8499DB-T2-E1
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI8499DB-T2-E1 electronic components. SI8499DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8499DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8499DB-T2-E1 Атрибуты продукта

номер части : SI8499DB-T2-E1
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1300pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Пакет / Дело : 6-UFBGA

Вы также можете быть заинтересованы в