IXYS - IXFX100N65X2

KEY Part #: K6398127

IXFX100N65X2 Цены (доллары США) [7203шт сток]

  • 1 pcs$6.29320
  • 10 pcs$5.72029
  • 100 pcs$4.86224
  • 500 pcs$4.14721

номер части:
IXFX100N65X2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX100N65X2 electronic components. IXFX100N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX100N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX100N65X2 Атрибуты продукта

номер части : IXFX100N65X2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 11300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1040W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.