Vishay Siliconix - SIHG35N60EF-GE3

KEY Part #: K6396058

SIHG35N60EF-GE3 Цены (доллары США) [11973шт сток]

  • 1 pcs$3.44187

номер части:
SIHG35N60EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG35N60EF-GE3 electronic components. SIHG35N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG35N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG35N60EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG35N60EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH TO-247AC
Серии : EF
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 134nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2568pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в