Vishay Siliconix - SIHF30N60E-GE3

KEY Part #: K6401547

SIHF30N60E-GE3 Цены (доллары США) [13792шт сток]

  • 1 pcs$2.98795
  • 1,000 pcs$1.49309

номер части:
SIHF30N60E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHF30N60E-GE3 electronic components. SIHF30N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF30N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF30N60E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHF30N60E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 29A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2600pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 37W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : -
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в