STMicroelectronics - STN3P6F6

KEY Part #: K6417004

STN3P6F6 Цены (доллары США) [274304шт сток]

  • 1 pcs$0.13484
  • 4,000 pcs$0.12049

номер части:
STN3P6F6
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V SOT-223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STN3P6F6 electronic components. STN3P6F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STN3P6F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STN3P6F6 Атрибуты продукта

номер части : STN3P6F6
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET P-CH 60V SOT-223
Серии : DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.4nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 340pF @ 48V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.6W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.