Diodes Incorporated - ZXMN6A10N8TA

KEY Part #: K6413847

[12958шт сток]


    номер части:
    ZXMN6A10N8TA
    производитель:
    Diodes Incorporated
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули and Тиристоры - ТРИАКС ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A10N8TA electronic components. ZXMN6A10N8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A10N8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A10N8TA Атрибуты продукта

    номер части : ZXMN6A10N8TA
    производитель : Diodes Incorporated
    Описание : MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
    Vgs (Макс) : -
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
    Рабочая Температура : -
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 8-SO
    Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.