Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60N600CI C0G

KEY Part #: K6419311

TSM60N600CI C0G Цены (доллары США) [104490шт сток]

  • 1 pcs$0.37421

номер части:
TSM60N600CI C0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G electronic components. TSM60N600CI C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM60N600CI C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60N600CI C0G Атрибуты продукта

номер части : TSM60N600CI C0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 743pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ITO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Вы также можете быть заинтересованы в