Infineon Technologies - IRF40H210

KEY Part #: K6419321

IRF40H210 Цены (доллары США) [105172шт сток]

  • 1 pcs$0.37178
  • 4,000 pcs$0.33759

номер части:
IRF40H210
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF40H210 electronic components. IRF40H210 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF40H210, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF40H210 Атрибуты продукта

номер части : IRF40H210
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Серии : HEXFET®, StrongIRFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5406pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-PQFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в