Vishay Siliconix - IRFBC40ASPBF

KEY Part #: K6399428

IRFBC40ASPBF Цены (доллары США) [19008шт сток]

  • 1 pcs$2.16824
  • 10 pcs$1.93776
  • 100 pcs$1.58903
  • 500 pcs$1.28675
  • 1,000 pcs$1.02955

номер части:
IRFBC40ASPBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBC40ASPBF electronic components. IRFBC40ASPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBC40ASPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBC40ASPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFBC40ASPBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1036pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.