Microsemi Corporation - APTGT35H120T3G

KEY Part #: K6532968

APTGT35H120T3G Цены (доллары США) [2049шт сток]

  • 1 pcs$21.13130
  • 100 pcs$20.62449

номер части:
APTGT35H120T3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT35H120T3G electronic components. APTGT35H120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT35H120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT35H120T3G Атрибуты продукта

номер части : APTGT35H120T3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 55A
Мощность - Макс : 208W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP3
Комплект поставки устройства : SP3

Вы также можете быть заинтересованы в