IXYS - IXFT30N60P

KEY Part #: K6394971

IXFT30N60P Цены (доллары США) [14810шт сток]

  • 1 pcs$3.21592
  • 30 pcs$3.19992

номер части:
IXFT30N60P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFT30N60P electronic components. IXFT30N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT30N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT30N60P Атрибуты продукта

номер части : IXFT30N60P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
Серии : HiPerFET™, PolarHT™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA