Microsemi Corporation - APT58M80J

KEY Part #: K6392961

APT58M80J Цены (доллары США) [1728шт сток]

  • 1 pcs$25.06453
  • 10 pcs$23.59031
  • 25 pcs$22.11609
  • 100 pcs$21.08400

номер части:
APT58M80J
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT58M80J electronic components. APT58M80J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT58M80J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT58M80J Атрибуты продукта

номер части : APT58M80J
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60W (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 570nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 17550pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 960W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в