IXYS - IXTU12N06T

KEY Part #: K6418931

IXTU12N06T Цены (доллары США) [83500шт сток]

  • 1 pcs$0.67314
  • 10 pcs$0.59621
  • 100 pcs$0.47120
  • 500 pcs$0.34567
  • 1,000 pcs$0.27289

номер части:
IXTU12N06T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 12A TO-251.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTU12N06T electronic components. IXTU12N06T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTU12N06T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTU12N06T Атрибуты продукта

номер части : IXTU12N06T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
Серии : TrenchMV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 3.4nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 256pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 33W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-251
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в