Diodes Incorporated - DMT6009LK3-13

KEY Part #: K6403595

DMT6009LK3-13 Цены (доллары США) [194738шт сток]

  • 1 pcs$0.18993
  • 2,500 pcs$0.16810

номер части:
DMT6009LK3-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 41V 60V TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LK3-13 electronic components. DMT6009LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LK3-13 Атрибуты продукта

номер части : DMT6009LK3-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 41V 60V TO252
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13.3A (Ta), 57A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1925pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.6W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD8782

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FDD6N50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FQD1N60CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.

  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.