Infineon Technologies - IPP048N04NGXKSA1

KEY Part #: K6419309

IPP048N04NGXKSA1 Цены (доллары США) [104352шт сток]

  • 1 pcs$0.37470
  • 500 pcs$0.32518

номер части:
IPP048N04NGXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP048N04NGXKSA1 electronic components. IPP048N04NGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP048N04NGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP048N04NGXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP048N04NGXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 79W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в